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ト電極―チャネル間距離（hemtの場合 主として障壁層の厚み）の比に相当する アスペクト比を高く保つことであります。つ まり、障壁層厚をゲート長短縮に伴い薄く していくことでショートチャネル効果を軽減 することができます。しかしドーピングではな能はかえって悪くなってしまう。このような副作用は"短チャ ネル効果"と呼ばれており，この効果をいかに抑えるかが， 高性能かつ低消費電力の高性能集積回路実現の鍵になって いる。 ところが近年，この短チャネル効果を抑えることがますま簡易逆短チャネル効果モデルの検討 実デバイスへの適用 林 洋一 , 三浦 規之 , 小松原 弘毅 , 望月 麻理恵 , 福田 浩一 電子情報通信学会技術研究報告 VLD, VLSI設計技術 101(319), 3136, 半導体の温故知新 6 Mosトランジスタの次はtfet 津田建二の技術解説コラム 歴史編 Edn Japan 短チャネル効果